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參數(shù)資料
| 型號： | STGF7NB60SL |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH IGBT |
| 中文描述： | N溝道第7A - 600V的-對220FP PowerMESH IGBT的 |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 258K |
| 代理商： | STGF7NB60SL |
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September 2004
STGF7NB60SL
N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP
PowerMESH IGBT
Table 1: General Features
I
POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN
I
LOW THRESHOLD VOLTAGE
I
LOW ON-VOLTAGE DROP
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on
a patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the Pow-
erMESH
IGBTs, with outstanding performances.
The suffix “S” identifies a family optimized achieve
minimum on-voltage drop for low frequency appli-
cations (<1kHz).
APPLICATIONS
I
LIGHT DIMMER
I
STATIC RELAYS
Table 2: Order Codes
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
(Max)
@25°C
I
C
@100°C
STGF7NB60SL
600 V
< 1.6 V
7 A
1
2
3
SALES TYPE
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STGF7NB60SL
GF7NB60SL
TO-220FP
TUBE
Rev.3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STH51005G | 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
| STH51004A | 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
| STH51004G | 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
| STH51004X | 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
| STH51005A | 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STGF7NB60SL_0409 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT |
| STGF7NC60HD | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGF8NC60KD | 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGFL6NC60D | 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.250 Ohm 12A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGFL6NC60DI | 功能描述:IGBT 晶體管 6 A 600V HYPER FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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