- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374939 > STGF7NB60SL (意法半導(dǎo)體) N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH IGBT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STGF7NB60SL |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH IGBT |
| 中文描述： | N溝道第7A - 600V的-對220FP PowerMESH IGBT的 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 258K |
| 代理商： | STGF7NB60SL |
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STGF7NB60SL
Figure 9: Gate Thereshold vs Temperature
Figure 10: Capacitance Variations
Figure 11: Total Switching Losses vs Gate Re-
sistance
Figure 12: Normalized Breakdown Voltage vs
Temperature
Figure 13: Gate Charge vs Gate-Emitter Volt-
age
Figure 14: Total Switching Losses vs Temper-
ature
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| STGF7NB60SL_0409 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT |
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| STGF8NC60KD | 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGFL6NC60D | 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.250 Ohm 12A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGFL6NC60DI | 功能描述:IGBT 晶體管 6 A 600V HYPER FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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