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參數(shù)資料
| 型號： | STGB3NB60MDT4 |
| 英文描述： | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:6V; Capacitance:100pF; Holding Current:50mA |
| 中文描述： | N溝道600V的IGBT的第3A TO-220/D2PAK POWERMESH |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 585K |
| 代理商： | STGB3NB60MDT4 |
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STGP3NB60HD - STGP3NB60HDFP - STGB3NB60HD
Fig. 2:
Test Circuit For Inductive Load Switching
Fig. 1:
Gate Charge test Circuit
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGP3NB60MD | N-CHANNEL 600V 3A TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT |
| STGP7NB60MD | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT |
| STGB7NB60MDT4 | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT |
| STGP7NB60 | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT |
| STGP7NB60H | N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STGB3NB60SD | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 3A - 600V D2PAK Power MESH⑩ IGBT |
| STGB3NB60SDT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGB3NC120HDT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGB40H65FB | 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:HB 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開關能量:498μJ（開），363μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:210nC 25°C 時 Td（開/關）值:40ns/142ns 測試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| STGB40V60F | 功能描述:IGBT 600V 80A 283W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開關能量:456μJ（開），411μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:226nC 25°C 時 Td（開/關）值:52ns/208ns 測試條件:400V，40A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
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