參數(shù)資料
型號(hào): STF8A60
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Bi-Directional Triode Thyristor
中文描述: 雙向可控硅三極管
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大?。?/td> 751K
代理商: STF8A60
Electrical Characteristics
Symbol
Items
Conditions
Ratings
Unit
Min.
Typ.
Max.
I
DRM
Repetitive Peak Off-State
Current
V
D
= V
DRM
, Single Phase, Half Wave
T
J
= 125 °C
2.0
mA
V
TM
Peak On-State Voltage
I
T
= 12 A, Inst. Measurement
1.4
V
I
+GT1
Gate Trigger Current
V
D
= 6 V, R
L
=10
Ω
30
mA
I
-GT1
30
I
-GT3
30
V
+GT1
Gate Trigger Voltage
V
D
= 6 V, R
L
=10
Ω
1.5
V
V
-GT1
1.5
V
-GT3
1.5
V
GD
Non-Trigger Gate Voltage
T
J
= 125 °C, V
D
= 1/2 V
DRM
0.2
V
(dv/dt)c
Critical Rate of Rise Off-State
Voltage at Commutation
T
J
= 125 °C, [di/dt]c = -4.0 A/ms,
V
D
=2/3 V
DRM
10
V/
I
H
Holding Current
15
mA
R
th(j-c)
Thermal Impedance
Junction to case
3.7
°C/W
STF8A60
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGF7NB60SL N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH IGBT
STGF7NB60SL N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP PowerMESH IGBT
STH51005G 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power
STH51004A 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power
STH51004G 1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STF8A80 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Bi-Directional Triode Thyristor
STF8N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh V PWR MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STF8N80K5 功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6ASuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STF8N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA Vgs(最大值):±30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):130W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 封裝/外殼:TO-220-3 整包 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STF8NK100Z 功能描述:MOSFET N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube