參數(shù)資料
型號(hào)： STD5N20LT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 200V - 0.65ヘ - 5A DPAK STripFET⑩ MOSFET
中文描述： N溝道200伏- 0.65ヘ- 5A條的DPAK STripFET⑩MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大小： 235K
代理商： STD5N20LT4
3/10
STD5N20L
Table 6: Dynamic
Symbol
g
fs
(2)
C
iss
C
oss
C
rss
Table 7: Source Drain Diode
Symbol
I
SD
Source-drain Current
I
SDM
(*)
Source-drain Current (pulsed)
V
SD
(1)
Forward On Voltage
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Current
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Current
(1) Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(2) Starting T
j
=25
°
C, I
d
= 5 A, V
DD
= 50 V
(*) Pulse width limited by safe operating area
Parameter
Test Conditions
V
DS
= 15 V, I
D =
5 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
6.5
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
242
44
6
pF
pF
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 100 V, I
D
= 2.5 A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 5V
(Resistive Load see Figure 14)
11.5
21.5
14
15.5
ns
ns
ns
ns
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 160 V, I
D
= 5 A,
V
GS
= 5V
5
1.5
3
6
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
5
A
20
A
I
SD
= 5 A, V
GS
= 0
1.5
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
SD
= 5 A, di/dt = 100 A/μs,
V
DD
= 100 V, T
j
= 25
°
C
(see test circuit, see Figure 15)
93
237
5.1
ns
nC
A
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
SD
= 5 A, di/dt = 100 A/μs,
V
DD
= 100 V, T
j
= 150
°
C
(see test circuit, see Figure 15)
97
286
5.9
ns
nC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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STD5N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:Digi-Reel? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.55 歐姆 @ 1.75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:375pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD5N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 1.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:211pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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