參數(shù)資料
型號(hào): STD5N20LT4
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 200V - 0.65ヘ - 5A DPAK STripFET⑩ MOSFET
中文描述: N溝道200伏- 0.65ヘ- 5A條的DPAK STripFET⑩MOSFET的
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代理商: STD5N20LT4
STD5N20L
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Table 3: Absolute Maximum ratings
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 25
°
C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100
°
C
I
DM
( )
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
T
stg
Storage Temperature
T
j
Operating Junction Temperature
( )
Pulse width limited by safe operating area
Table 4: Thermal Data
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
Table 5: On/Off
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125
°
C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50μA
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
Parameter
Value
Unit
200
V
200
V
±20
V
5
A
3.6
A
20
A
33
W
0.27
W/
°
C
55 to 150
°
C
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
3.75
100
°
C/W
°
C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
275
°
C
Min.
200
Typ.
Max.
Unit
V
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
V
DS
= Max Rating
1
μA
10
μA
V
GS
= ±20V
±100
nA
1
2.5
V
V
GS
= 5 V, I
D
= 2.5 A
0.65
0.7
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PDF描述
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參數(shù)描述
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STD5N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 1.7A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):8.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):211pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1