參數(shù)資料
型號(hào)： STD50N03L-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 9.2mohm - 40A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 9.2mohm - 40A條-的DPAK /像是iPak STripFET商標(biāo)第三功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/16頁(yè)
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代理商： STD50N03L-1
STD50N03L - STD50N03L-1
Electrical characteristics
5/16
Table 5.
Switching times
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on delay time
Rise time
V
DD
=15V, I
D
= 25A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5V
(see Figure 12)
15
125
ns
ns
t
d(off)
t
f
Turn-off delay time
Fall time
V
DD
= 15V, I
D
= 25A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5V
(see Figure 12)
14
45
ns
ns
Table 6.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM(1)
1.
Pulse width limited by safe operating area
Source-drain current
Source-drain current
(pulsed)
40
160
A
A
V
SD(2)
2.
Pulsed: pulse duration=300μs, duty cycle 1.5%
Forward on voltage
I
SD
= 20A, V
GS
=0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 40A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 10 V, Tj = 25°C
(see Figure 17)
26
15.6
1.2
ns
nC
A
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 40A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 10V, Tj= 150°C
(see Figure 17)
26.4
18.1
1.4
ns
nC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD50NH02L-1 N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET
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STD55NH2LLT4 N-channel 24V - 0.010ohm - 40A - DPAK/IPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET
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參數(shù)描述
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