參數資料
型號： STD3NM60
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 1.3ohm - 3A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 1.3ohm -第3A TO-220/DPAK/IPAK齊納⑩保護的MDmesh功率MOSFET
文件頁數： 6/12頁
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代理商： STD3NM60
STP4NM60 / STD3NM60 / STD3NM60-1
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Source-drain Diode Forward Characteristics
相關PDF資料
PDF描述
STP4NM60 N-CHANNEL 600V - 1.3ohm - 3A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
STD40NF02L N-CHANNEL 20V - 0.01 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD40NF03LT4 N-channel 30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
STD40NF03L N-CHANNEL 30V - 0.012 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD40NF3LLT4 N-channel 30V - 0.009ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
STD3NM60-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-1.3ohms Mdmesh 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD3NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD3NM60T4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 3 Amp Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD3PK50Z 功能描述:MOSFET P-Ch 500V 3 Ohm 2.8A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD3PS25 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:P-CHANNEL 250V - 2.1 OHM - 3A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET
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