參數(shù)資料
型號(hào)： STD30NF03LTT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.017ohm - 30A條-的DPAK STripFET商標(biāo)二功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/13頁(yè)
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代理商： STD30NF03LTT4
STD30NF03LT
Electrical characteristics
5/13
Table 6.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(1)
1.
Pulse width limited by safe operating area.
Source-drain current
Source-drain current
(pulsed)
30
120
A
A
V
SD
(2)
2.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5%
Forward on voltage
I
SD
= 30A, V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 30A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 20V, T
j
= 150°C
(see
Figure 14
)
35
38
2.5
ns
nC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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