參數資料
型號： STD3055L
廠商： SamHop Microelectronics Corp.
英文描述： N-Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor
中文描述： N溝道邏輯E級nhancement F型爾德首頁ffect晶體管
文件頁數： 1/8頁
文件大?。?/td> 765K
代理商： STD3055L
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
TO-252 and TO-251 Package.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
=25 C unless otherwise noted)
SamHop Microelectronics Corp.
MAR,09 2005 ver1.1
1
PRODUCT SUMMARY
V
DSS
I
D
R
DS(ON) ( m
)
25V
12A
70 @ V
GS
= 10V
95 @ V
GS
= 4.5V
FEATURES
Super high dense cell design for low R
DS(ON
).
Rugged and reliable.
S
G
D
STU SERIES
TO-252AA(D-PAK)
STD SERIES
TO-251(l-PAK)
G
G
S
S
D
D
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
R
JC
3
50
R
JA
/W
C
/W
C
25
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
V
Gate-Source Voltage
16
V
GS
V
-Pulsed
12
I
D
A
40
I
DM
A
Drain-Source Diode Forward Current
5
I
S
A
Maximum Power Dissipation
P
D
W
Operating and StorageTemperature Range
T
J
, T
STG
-55 to 175
C
@ Tc=25 C
50
Drain Current-Continuous @ TJ=25 C
a
Max
STU/D3055L
相關PDF資料
PDF描述
STU3055L N-Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor
STD30NF06L N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 35A DPAK/IPAK STripFET⑩ POWER MOSFET
STD35NF06L N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 35A DPAK STripFET⑩II MOSFET
STD35NF06LT4 N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 35A DPAK STripFET⑩II MOSFET
STD36NH02L N-channel 24V - 0.011ohm - 30A - DPAK STripFET III Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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STD30N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1270pF @ 50V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1
STD30N6LF6AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 24A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1320pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1
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