參數(shù)資料
型號(hào)： STD15N06L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式的低閾值功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 139K
代理商： STD15N06L
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.2
2.4
0.086
0.094
A1
A3
0.9
0.7
1.1
1.3
0.035
0.027
0.043
0.051
B
0.64
0.9
0.025
0.031
B2
5.2
5.4
0.204
0.212
B3
0.85
0.033
B5
0.3
0.012
B6
0.95
0.037
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
0.48
0.6
0.019
0.023
D
6
6.2
0.236
0.244
E
6.4
6.6
0.252
0.260
G
4.4
4.6
0.173
0.181
H
15.9
16.3
0.626
0.641
L
9
9.4
0.354
0.370
L1
0.8
1.2
0.031
0.047
L2
0.8
1
0.031
0.039
D
A
C
C
L
A
L2
L1
1
3
H
=
=
B
B
B
B
E
G
A
=
=
=
=
B
2
TO-251 (IPAK) MECHANICAL DATA
0068771-E
STD15N06L
8/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD16NE06L-1 N-Channel 60V-0.07Ω-16A- TO-251 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD16NE06L N-Channel 60V-0.07Ω-16A- DPAK STripFETTM " Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD17NF03L-1 N-CHANNEL 30V - 0.038 - 17A - DPAK/IPAK STripFETII MOSFET
STD17NF03LT4 N-CHANNEL 30V - 0.038 - 17A - DPAK/IPAK STripFETII MOSFET
STD1NK60 N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK / IPAK / TO-92 SuperMESH Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD15N06L-1 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251
STD15N06LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
STD15N06T4 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
STD15N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:378 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:590pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD15N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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