- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄380762 > STD15N06L (意法半導(dǎo)體) N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STD15N06L |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)模式的低閾值功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 2/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 139K |
| 代理商： | STD15N06L |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
3
100
1.5
275
o
C/W
o
C/W
o
C/W
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
Repetitive Avalanche Energy
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(T
c
= 100
o
C, pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
15
A
E
AS
50
mJ
E
AR
12
mJ
I
AR
10
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
60
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating x 0.8
V
GS
=
±
15 V
T
c
= 125
o
C
250
1000
±
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 7.5 A
I
D
= 7.5 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
1
1.7
2.5
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 5V
V
GS
= 5V
T
c
= 100
o
C
0.075
0.1
0.2
A
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
15
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 7.5 A
3
5
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
700
230
80
950
310
110
pF
pF
pF
STD15N06L
2/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD16NE06L-1 | N-Channel 60V-0.07Ω-16A- TO-251 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
| STD16NE06L | N-Channel 60V-0.07Ω-16A- DPAK STripFETTM " Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
| STD17NF03L-1 | N-CHANNEL 30V - 0.038 - 17A - DPAK/IPAK STripFETII MOSFET |
| STD17NF03LT4 | N-CHANNEL 30V - 0.038 - 17A - DPAK/IPAK STripFETII MOSFET |
| STD1NK60 | N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK / IPAK / TO-92 SuperMESH Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STD15N06L-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251 |
| STD15N06LT4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252 |
| STD15N06T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252 |
| STD15N60M2-EP | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:378 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:590pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STD15N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。