參數(shù)資料
型號: STD15N06L
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強模式低閾值功率MOSFET)
中文描述: N溝道增強模式的低閾值功率MOS晶體管(不適用溝道增強模式低閾值功率MOSFET的)
文件頁數(shù): 6/10頁
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代理商: STD15N06L
Switching Safe Operating Area
Accidental Overload Area
Source-drain Diode Forward Characteristics
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuits
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveforms
STD15N06L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD16NE06L-1 N-Channel 60V-0.07Ω-16A- TO-251 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD16NE06L N-Channel 60V-0.07Ω-16A- DPAK STripFETTM " Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STD17NF03L-1 N-CHANNEL 30V - 0.038 - 17A - DPAK/IPAK STripFETII MOSFET
STD17NF03LT4 N-CHANNEL 30V - 0.038 - 17A - DPAK/IPAK STripFETII MOSFET
STD1NK60 N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK / IPAK / TO-92 SuperMESH Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD15N06L-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251
STD15N06LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
STD15N06T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
STD15N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):378 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):590pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標準包裝:1
STD15N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube