參數(shù)資料
型號(hào)： STD110NH02L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 24V - 0.0044 ohm - 80A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0044歐姆- 80A條的DPAK STripFET⑩三功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大?。?/td> 498K
代理商： STD110NH02L
3/11
STD110NH02L
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(1)
Garanted when external Rg=4.7
and t
< t
.
(5)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2
) Value limited by wire bonding
(6)
Q
C
*
V
C
C
C
See Appendix A
(3)
Pulse width limited by safe operating area.
(7)
Gate charge for synchronous operation
(
4
) Starting T
j
= 25
o
C, I
D
= 40A, V
DD
= 10V .
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
14
224
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 10 V I
D
= 80 A V
GS
= 10 V
69
13
9
93
nC
nC
nC
Q
oss(6)
Output Charge
V
DS
= 16 V V
GS
= 0 V
27
nC
Q
gls(7)
Third-quadrant Gate Charge
V
DS
< 0 V V
GS
= 10 V
64
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
69
40
54
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
80
320
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 40 A V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 80 A
V
DD
= 15 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
47
58
2.5
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD12N06L N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET)
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STD16NE06L N-Channel 60V-0.07Ω-16A- DPAK STripFETTM " Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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STD116 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD116GK08 制造商:SIRECT 制造商全稱:Sirectifier Global Corp. 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
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