參數(shù)資料
型號(hào)： STD110NH02L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 24V - 0.0044 ohm - 80A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0044歐姆- 80A條的DPAK STripFET⑩三功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
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代理商： STD110NH02L
STD110NH02L
2/11
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
ON
(5
)
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
1.20
100
275
°C/W
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 25 mA, V
GS
= 0
24
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= 20 V
V
DS
= 20V T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA
1
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 40 A
I
D
= 20 A
0.0044
0.0050
0.0050
0.0095
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (5)
Forward Transconductance
V
DS
= 10 V
I
D
= 40 A
52
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 15V f = 1 MHz V
GS
= 0
4450
1126
141
pF
pF
pF
R
G
Gate Input Resistance
f = 1 MHz Gate DC Bias = 0
Test Signal Level = 20 mV
Open Drain
1.6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD12N06L N-Channel Enhancement Mode Low Threshold Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式低閾值功率MOSFET)
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STD16NE06L N-Channel 60V-0.07Ω-16A- DPAK STripFETTM " Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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STD111 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:STD111|Data Sheet
STD116 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD116GK08 制造商:SIRECT 制造商全稱:Sirectifier Global Corp. 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
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