參數(shù)資料
型號： STB90NF03L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Low ESR; Voltage Rating:6.3VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:68uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:100mohm; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
中文描述： N溝道30V的- 0.0056ohm - 90A型采用D2PAK低柵極電荷STripFET⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 246K
代理商： STB90NF03L
3/8
STB90NF03L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
d(off)
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 15V, I
D
= 45 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 24V, I
D
=90A,V
GS
= 5V
Min.
Typ.
Max.
Unit
30
ns
t
r
Rise Time
200
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
35
47
nC
Gate-Source Charge
10
nC
Gate-Drain Charge
18
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 15V, I
D
= 45 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
(see test circuit, Figure 3)
Min.
Typ.
50
Max.
Unit
ns
Turn-off-Delay Time
t
f
Fall Time
105
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
90
A
Source-drain Current (pulsed)
360
A
Forward On Voltage
I
SD
= 90 A, V
GS
= 0
I
SD
= 90 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 15V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.3
V
Reverse Recovery Time
80
ns
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Charge
90
nC
Reverse Recovery Current
2.5
A
Thermal Impedence
Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB90NF03 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STB9NB50 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STB9NK60ZD N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET
STB9NK60ZDT4 N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET
STF9NK60ZD N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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