參數(shù)資料
型號： STB70NF3LLT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 0.0075 ohm - 70A D2PAK/TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.0075歐姆- 70A條D2PAK/TO-220低柵極電荷STripFET二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 328K
代理商： STB70NF3LLT4
3/10
STB70NF3LL STP70NF3LL
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 35 A
V
GS
= 4.5 V
23
156
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 15V I
D
= 70A V
GS
= 4.5V
24
8.5
12
33
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 35 A
V
GS
= 4.5 V
27
28
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
70
280
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 70 A V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 70 A
V
DD
= 25 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
40
50
2.5
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
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PDF描述
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