參數(shù)資料
型號： STB70NF03L
廠商： 意法半導體
英文描述： Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Low ESR; Voltage Rating:2.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:150uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:100mohm; Operating Temp. Max:125 C RoHS Compliant: Yes
中文描述： N溝道30V的- 0.008歐姆-第70A D2PAK封裝，低柵極電荷STripFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 45K
代理商： STB70NF03L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
I
D
= 35 A
V
GS
= 4.5 V
20
350
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 24 V I
D
= 46 A V
GS
= 10 V
35
5
10
45
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
I
D
= 35 A
V
GS
= 4.5 V
35
65
ns
ns
SOURCE DRAINDIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
70
280
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
=70 A
I
SD
= 70 A
V
DD
= 15 V
(see test circuit, fig. 5)
V
GS
= 0
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
70
105
2.4
ns
nC
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STB70NF03L
3/6
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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