參數(shù)資料
型號(hào): STB6NA80
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
中文描述: N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管(不適用溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET的)
文件頁(yè)數(shù): 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 125K
代理商: STB6NA80
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.3
4.6
0.169
0.181
A1
2.49
2.69
0.098
0.106
B
0.7
0.93
0.027
0.036
B1
1.2
1.38
0.047
0.054
B2
1.25
1.4
0.049
0.055
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
1.21
1.36
0.047
0.053
D
9
9.35
0.354
0.368
e
2.44
2.64
0.096
0.104
E
10
10.28
0.393
0.404
L
13.2
13.5
0.519
0.531
L1
3.48
3.78
0.137
0.149
L2
1.27
1.37
0.050
0.054
L
L1
B
B
D
E
A
C
C
A
L2
e
TO-262 (I2PAK) MECHANICAL DATA
STB6NA80
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB6NC90Z-1 N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STP6NC90ZFP N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STB6NK60ZT4 N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STP6NK60ZFP N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STB6NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB6NA80-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-262VAR
STB6NA80T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5.7A I(D) | TO-263AB
STB6NB50 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB6NB50-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.8A I(D) | TO-262AA
STB6NB50T4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5.8A I(D) | TO-263AB