參數(shù)資料
型號： STB55NF06L-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： 圓形連接器
英文描述： Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Crimp; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:55; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
中文描述： N溝道60V的- 0.014ohm - 55A條TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 454K
代理商： STB55NF06L-1
STP55NF06L - STP55NF06LFP - STB55NF06L - STB55NF06L-1
2/12
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
C
iss
C
oss
C
rss
TO-220
D
2
PAK
I
2
PAK
1.58
TO-220FP
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
5.0
°C/W
°C/W
°C
62.5
300
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
60
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
10
μA
V
GS
= ± 16 V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= 5 V, I
D
= 27.5 A
V
GS
= 10V, I
D
= 27.5 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
1
1.7
V
Static Drain-source On
Resistance
0.016
0.020
0.014
0.018
Parameter
Test Conditions
V
DS
= 15V , I
D
= 27.5 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward Transconductance
30
S
Input Capacitance
1700
pF
Output Capacitance
300
pF
Reverse Transfer
Capacitance
105
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP55NF06L N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET
STB55NF06L N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET
STP55NF06LFP N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET
STB5600 GPS RF FRONT-END IC
STB5610 GPS RF FRONT-END IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB55NF06LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB55NF06T4 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB5600 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
STB5600TR 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
STB5610 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*