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參數(shù)資料
| 型號： | STB3NA80T4 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | 熱敏電阻 |
| 英文描述： | Resettable Fuse; Series:1210L; Thermistor Type:PTC; Operating Voltage Max:6VDC; Holding Current:0.35A; Tripping Current:0.7A; External Depth:0.85mm; Length:3.43mm; Initial Resistance Min:0.32ohm; Initial Resistance Max:1.3ohm RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 800V的五（巴西）直| 3.1AI（四）|對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 127K |
| 代理商： | STB3NA80T4 |
Switching Safe OperatingArea
Source-drainDiode Forward Characteristics
Fig. 1:
UnclampedInductiveLoad TestCircuit
AccidentalOverload Area
Fig. 2:
UnclampedInductiveWaveform
STB3NA80
6/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB3NB60 | N - CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3.3A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET |
| STB3NC90 | N-CHANNEL 900V - 3.2W - 3.5A D2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
| STB3NC90Z-1 | N-CHANNEL 900V - 3.2ohm - 3.5A TO-220/TO-220FP/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
| STB3NC90Z | N-CHANNEL 900V - 3.2W - 3.5A D2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
| STB3NK60Z | N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB3NB60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3.3A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET |
| STB3NB60-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-262AA |
| STB3NB60T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB3NC60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 3.3ohm- 3A - D2PAK/I2PAK PowerMESHII MOSFET |
| STB3NC60-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-262AA |
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