參數(shù)資料
型號： STB30NS15T4
英文描述： FUSE BLOCK MAXI
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 150伏五（巴西）直| 30A條（?。﹟對263AB
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 455K
代理商： STB30NS15T4
STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP
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Thermal Impedance
Thermal Impedance for TO-220FP
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
相關PDF資料
PDF描述
STB30N10 CAP 22PF 200V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
STB30NS15 N-CHANNEL 150V - 0.075 ohm - 30A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STB35NF10 N-CHANNEL 100V - 0.030ohm - 40A TO-220 / D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STB35NF10T4 THERMISTOR PTC 6V .35A RESETTABL
STP35NF10 N-CHANNEL 100V - 0.030ohm - 40A TO-220 / D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STB31N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB32N65M5 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB32NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB3300 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Modulator/Demodulator
STB33N10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-263AB
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