參數(shù)資料
型號： STB30NF10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.038歐姆- 35A條TO-220/TO-220FP/D2PAK低柵極電荷STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大小： 455K
代理商： STB30NF10
3/11
STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
15
40
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 80 V I
D
= 30 A V
GS
= 10V
40
8.0
15
55
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
45
10
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
35
140
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 30 A
V
DD
= 55 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
110
390
7.5
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area for TO-220FP
Safe Operating Area for TO-220
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB3015LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB30NE06LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
STB30NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
STB30NS15T4 FUSE BLOCK MAXI
STB30N10 CAP 22PF 200V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB30NF10_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100V - 0.038ヘ - 35A - D2PAK/TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET⑩ II Power MOSFET
STB30NF10T4 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB30NF20 功能描述:MOSFET N Ch 1500V 2.5A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB30NF20L 功能描述:MOSFET N-Ch 200V 0.065 Ohm 30A STripFET 150W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB30NM50N 功能描述:MOSFET N-ch 500 Volt 27Amp Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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