- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄380760 > STB24NF10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STB24NF10T4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直|第26A條（?。﹟對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | STB24NF10T4 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
V
DD
= 80 V I
D
= 24 A V
GS
= 10 V
I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
58
45
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
30
6
10
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 27 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
Vclamp = 80 V
R
G
= 4.7
(Inductive Load, see fig. 5)
I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
49
17
ns
ns
t
d(off)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
I
D
= 24 A
V
GS
= 10 V
43
36
39
ns
ns
ns
SOURCE DRAINDIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
24
96
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 24 A
I
SD
= 24 A
V
DD
= 50 V
(see test circuit, fig. 5)
V
GS
= 0
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
100
375
7.5
ns
nC
A
(
) Pulsed:Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimitedby safe operatingarea
STB24NF10
3/6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB25NM60N | N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
| STB25NM60N-1 | N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
| STF25NM60N | N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
| STP25NM60N | N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
| STW25NM60N | N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB24NM60N | 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB24NM65N | 功能描述:MOSFET N-Channel 650V 0.16 Ohms 19A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB25N80K5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A SuperMESH 5 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB25NF06LAG | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 25A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14nC @ 10V Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STB25NM50N | 功能描述:MOSFET N Ch 550V TJMAX 0.12 Ohm 21.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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