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參數(shù)資料
| 型號： | STB200NF04 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 5/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 557K |
| 代理商： | STB200NF04 |
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STB200NF03/-1 STP200NF03
Power Derating vs Tc
Max Id Current vs Tc
.
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temperature
Normalized on Resistance vs Temperature
Source-drain Diode Forward Characteristics
Normalized Breakdown Voltage vs Temperature.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB200NF04-1 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| STB200NF04T4 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| STP200NF04 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| STB200NF03T4 | PTCE 18C 18#20 SKT RECP |
| STB200NF03 | N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB200NF04-1 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| STB200NF04L | 功能描述:MOSFET N Ch 40V 3mOhm 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB200NF04L-1 | 功能描述:MOSFET N Ch 40V 3mOhm 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB200NF04T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB-200S | 制造商:HellermannTyton 功能描述: |
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