參數(shù)資料
型號(hào)： STB19NF20
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
中文描述： N溝道200伏- 0.15ヘ- 15A條-到220 -采用D2PAK -對(duì)220FP網(wǎng)眼密胺⑩功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 9/16頁(yè)
文件大小： 525K
代理商： STB19NF20
STB19NF20 - STF9NF20 - STP19NF20
Test circuit
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3
Test circuit
Figure 15. Switching times test circuit for
resistive load
Figure 16. Gate charge test circuit
Figure 17. Test circuit for inductive load
switching and diode recovery times
Figure 18. Unclamped Inductive load test
circuit
Figure 19. Unclamped inductive waveform
Figure 20. Switching time waveform
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP19NF20 N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
STB20NK50Z RESISTOR ARRAY
STW20NK50Z N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247
STB20NK50Z-S Thick Film Resistor Network; Series:RNA4A; Resistance:47kohm; Resistance Tolerance:+/- 5 %; Power Rating:0.063W; Voltage Rating:25V; Temperature Coefficient:+/-250 ppm; Package/Case:10-SOIC; Network Circuit Type:Dual Termination
STB20NK50ZT4 RESNET 51-OHM 8-ELEMENT 5% 0.063W THK-FILM CONCAVE SMD-4.0X2.1 TR-7-PL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB19NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB19NM65NT4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFET
STB1GA14 制造商:n/a 功能描述:Ships in 2 days
STB-20 制造商:SAE Power 功能描述:
STB200N04 功能描述:MOSFET NCh 40V 0.0035U 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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