參數(shù)資料
型號(hào)： STB11NM60A-1
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 0.4ohm - 11A條TO-220/TO-220FP/I2PAK的MDmesh⑩功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/13頁(yè)
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代理商： STB11NM60A-1
STP11NM60FD - STP11NM60FDFP - STB11NM60FD - STB11NM60FD-1
8/13
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.40
0.61
1.15
0.49
15.25
10
2.40
4.95
1.23
6.20
2.40
13
3.50
MAX.
4.60
0.88
1.70
0.70
15.75
10.40
2.70
5.15
1.32
6.60
2.72
14
3.93
MIN.
0.173
0.024
0.045
0.019
0.60
0.393
0.094
0.194
0.048
0.244
0.094
0.511
0.137
MAX.
0.181
0.034
0.066
0.027
0.620
0.409
0.106
0.202
0.052
0.256
0.107
0.551
0.154
A
b
b1
c
D
E
e
e1
F
H1
J1
L
L1
L20
L30
P
Q
16.40
28.90
0.645
1.137
3.75
2.65
3.85
2.95
0.147
0.104
0.151
0.116
TO-220 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP11NM60FD N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
STP11NM60FP N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
STB11NM60FD N-channel 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET II power MOSFET
STB12NM60N N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
STB12NM60N-1 N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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參數(shù)描述
STB11NM60FD 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 0.40OHM - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK FDmesh TM Power MOSFET (with fast diode)
STB11NM60FD-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET II power MOSFET
STB11NM60FDT4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB11NM60N 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
STB11NM60N-1 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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