參數(shù)資料
型號(hào)： SST49LF004B
廠商： Silicon Storage Technology, Inc.
英文描述： 4 Mbit LPC Firmware Flash
中文描述： 4兆位LPC固件閃存
文件頁數(shù)： 28/39頁
文件大?。?/td> 460K
代理商： SST49LF004B
28
Data Sheet
4 Mbit LPC Firmware Flash
SST49LF004B
2003 Silicon Storage Technology, Inc.
S71232-02-000
12/03
FIGURE 11: R
ESET
T
IMING
D
IAGRAM
(LPC M
ODE
)
TABLE 21: I
NTERFACE
M
EASUREMENT
C
ONDITION
P
ARAMETERS
(LPC M
ODE
)
Symbol
V
TH1
V
TL1
V
TEST
V
MAX1
Input Signal Edge Rate
Value
0.6 V
DD
0.2 V
DD
0.4 V
DD
0.4 V
DD
1
Units
V
V
V
V
V/ns
T21.0 1232
1. The input test environment is done with 0.1 V
DD
of overdrive over V
IH
and V
IL
. Timing parameters must be met with no more over-
drive than this. V
MAX
specifies the maximum peak-to-peak waveform allowed for measuring input timing. Production testing may use
different voltage values, but must correlate results back to these parameters.
TABLE 22: R
ESET
T
IMING
P
ARAMETERS
, V
DD
=3.0-3.6V (LPC M
ODE
)
Symbol
T
PRST
T
KRST
T
RSTP
T
RSTF
T
RST1
T
RSTE
Parameter
V
DD
stable to Reset Low
Clock Stable to Reset Low
RST# Pulse Width
RST# Low to Output Float
RST# High to LFRAME# Low
RST# Low to reset during Sector-/Block-Erase or Program
Min
1
100
100
Max
Units
ms
μs
ns
ns
μs
μs
48
1. There will be a latency due to T
RSTE
if a reset procedure is performed during a Program or Erase operation,
1
10
T22.0 1232
CLK
V
DD
RST#/INIT#
LFRAME#
LAD[3:0]
1232 F08.0
T
PRST
T
KRST
T
RSTP
T
RSTF
T
RSTE
Sector-/Block-Erase
or Program operation
aborted
T
RST
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SST49LF004B-33-4C-NH 功能描述:閃存 512K X 8 33ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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