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參數(shù)資料
| 型號： | SST37VF010-70-3I-NH |
| 英文描述： | SM IC/CY7C1019 128K X 8 SRAM |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 165K |
| 代理商： | SST37VF010-70-3I-NH |
Data Sheet
512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit Multi-Purpose Flash
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
7
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71151-02-000
5/01
397
AC CHARACTERISTICS
TABLE
9: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
V
DD
= 2.7-3.6V
(Ta = 0
°
C to +70
°
C (Commercial))
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
Parameter
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
SST37VF512-70
SST37VF010-70
SST37VF020-70
SST37VF040-70
Min
70
SST37VF512-90
SST37VF010-90
SST37VF020-90
SST37VF040-90
Min
90
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
Max
70
70
35
90
90
45
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
0
0
30
30
30
30
0
0
T9.2 397
TABLE 10: P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
V
DD
= 2.7-3.6V
(Ta = 25
°
C±5
°
C)
Symbol
T
BP
T
CES
T
CEH
T
AS
T
AH
T
DS
T
DH
T
PRT
T
VPS
T
VPH
T
PW
T
EW
T
VR
T
ART
T
A9S
T
A9H
Parameter
Byte-Program Time
CE# Setup Time
CE# Hold Time
Address Setup Time
Address Hold Time
Data Setup Time
Data Hold Time
OE# Rise Time for Program and Erase
OE# Setup Time for Program and Erase
OE# Hold Time for Program and Erase
WE# Program Pulse Width
WE# Erase Pulse Width
OE#/A
9
Recovery Time for Erase
A
9
Rise Time to 12V during Erase
A
9
Setup Time during Erase
A
9
Hold Time during Erase
Min
12
1
1
1
1
1
1
1
1
1
10
100
1
1
1
1
Max
20
Units
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
15
500
T10.0 397
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST37VF010-70-3I-WH | 2.5V or 3.3V, 200-MHz, 1:18 Clock Distribution Buffer |
| SST37VF010-90-3I-NH | CYWUSB6953 - WirelessUSB™ PRoC™ Flash Programmable MCU + Radio |
| SST37VF010-90-3I-WH | CY7C603xx Wireless; Memory Size: 8K; RAM: 512B; Vcc (V): 2.4-3.6V; Core: M8C; Code Memory Architecture: Flash; Development Kit: CY3656 |
| SST37VF020-70-3I-NH | CY7C603xx Wireless; Memory Size: 8K; RAM: 512B; Vcc (V): 2.4-3.6V; Core: M8C; Code Memory Architecture: Flash; Development Kit: CY3656 |
| SST37VF020-70-3I-WH | CY7C603xx Wireless; Memory Size: 8K; RAM: 512B; Vcc (V): 0.9-3.6V; Core: M8C; Code Memory Architecture: Flash; Development Kit: CY3656 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST37VF010-70-3I-WH | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| SST37VF010-90-3C-NH | 功能描述:閃存 U 804-37VF0107CNH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST37VF010-90-3C-PH | 功能描述:閃存 128K X 8 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST37VF010-90-3C-WH | 功能描述:閃存 U 804-37VF0107CWH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST37VF010-90-3I-NH | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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