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參數(shù)資料
| 型號： | SST34HF1601-70-4C-L1P |
| 廠商： | Silicon Storage Technology, Inc. |
| 元件分類： | 組合存儲器 |
| 英文描述： | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 8 Mbit SRAM ComboMemory |
| 中文描述： | 16兆位的SuperFlash 8兆位并行SRAM的ComboMemory |
| 文件頁數(shù)： | 12/30頁 |
| 文件大小： | 472K |
| 代理商： | SST34HF1601-70-4C-L1P |
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12
Advance Specifications
16 Mbit Concurrent SuperFlash + 8 Mbit SRAM ComboMemory
SST34HF1681
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71214-00-000
12/01 561
TABLE
8: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
(V
DD
= V
DDF
AND
V
DDS
= 2.7-3.3V)
Symbol
I
DD
Parameter
Active V
DD
Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input = V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min,
V
DD
=V
DD
Max, all DQs open
OE#=V
IL
, WE#=V
IH
BEF#=V
IL
, BES1#=V
IH
,
or BES2=V
IL
BEF#=V
IH
, BES1#=V
IL ,
BES2=V
IH
BEF#=V
IH
, BES1#=V
IL ,
BES2=V
IH
WE#=V
IL
BEF#=V
IL
, BES1#=V
IH
,
or BES2=V
IL
, OE#=V
IH
BEF#=V
IH
, BES1#=V
IL ,
BES2=V
IH
V
DD
= V
DD
Max, BEF#=BES1#=V
IHC
,
BES2=V
ILC
Min
Units
Read
Flash
SRAM
35
30
60
mA
mA
mA
Concurrent Operation
Write
1
Flash
SRAM
Standby V
DD
Current
40
30
40
75
30
1
1
0.8
0.3
mA
mA
μA
μA
μA
μA
μA
V
V
V
V
V
V
V
V
I
SB
3.0V
3.3V
I
RT
I
LI
I
LO
V
IL
V
ILC
V
IH
V
IHC
V
OLF
V
OHF
V
OLS
V
OHS
Reset
V
DD
Current
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input Low Voltage (CMOS)
Input High Voltage
Input High Voltage (CMOS)
Flash Output Low Voltage
Flash Output High Voltage
SRAM Output Low Voltage
SRAM Output High Voltage
Reset=V
SS
±0.3V
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=100 μA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-100 μA, V
DD
=V
DD
Min
IOL =1 mA, V
DD
=V
DD
Min
IOH =-500 μA, V
DD
=V
DD
Min
0.7
V
DD
V
DD
-0.3
0.2
V
DD
-0.2
0.4
2.2
T8.1 561
1. I
DD
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| SST34HF1601-90-4C-L1P | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 8 Mbit SRAM ComboMemory |
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參數(shù)描述 |
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| SST34HF1601-90-4C-LFP | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory |
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