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參數(shù)資料
| 型號： | SST30VR043-70-C-WH |
| 廠商： | Silicon Storage Technology, Inc. |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit ROM + 1 Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo |
| 中文描述： | 4兆位光盤1兆位/ 256千位的SRAM ROM / RAM內(nèi)存組合 |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 111K |
| 代理商： | SST30VR043-70-C-WH |
Data Sheet
2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM
ROM/RAM Combo
SST30VR021 / SST30VR022 / SST30VR023
11
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71135-02-000
4/01
380
PACKAGING DIAGRAMS
32-
PIN
T
HIN
S
MALL
O
UTLINE
P
ACKAGE
(TSOP) 8
MM
X
14
MM
SST P
ACKAGE
C
ODE
: WH
32.TSOP-WH-ILL.4
Note:
1. Complies with JEDEC publication 95 MO-142 BA dimensions, although some dimensions may be more stringent.
2. All linear dimensions are in millimeters (min/max).
3. Coplanarity: 0.1 (±.05) mm.
4. Maximum allowable mold flash is 0.15mm at the package ends, and 0.25mm between leads.
8.10
7.90
.270
.170
1.05
0.95
.50
BSC
0.15
0.05
12.50
12.30
Pin # 1 Identifier
14.20
13.80
0.70
0.50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST31LF021 | 2 Mbit Flash + 1 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST31LF021-300-4C-WH | 2 Mbit Flash + 1 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST31LF021-300-4E-WH | 2 Mbit Flash + 1 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST31LF041A-70-4E-WI | 4 Mbit Flash + 1 Mbit or 256 Kbit SRAM ComboMemory |
| SST31LF043-70-4C-WH | 4 Mbit Flash + 1 Mbit or 256 Kbit SRAM ComboMemory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST30VR043-70-E-WH | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:4 Mbit ROM + 1 Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo |
| SST310 | 功能描述:JFET 35V 24mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST310 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR JFET N SOT-23 |
| SST310_SOT-23 | 制造商:MICROSS 制造商全稱:MICROSS 功能描述:N-CHANNEL JFET |
| SST310-E3 | 功能描述:JFET 35V 24mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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