參數(shù)資料
型號： SST29VF040-55-4C-WHE
廠商： SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC
元件分類： PROM
英文描述： 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
中文描述： 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 55 ns, PDSO32
封裝： 8 X 14 MM, MO-142BA, TSOP1-32
文件頁數(shù)： 8/22頁
文件大小： 277K
代理商： SST29VF040-55-4C-WHE
8
Data Sheet
4 Mbit Small-Sector Flash
SST29SF040 / SST29VF040
2004 Silicon Storage Technology, Inc.
S71160-10-000
2/04
TABLE
6: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 2.7-3.6V
FOR
SST29VF040
Symbol
I
DD
Parameter
Power Supply Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input=V
ILT
/V
IHT
, at f=5 MHz,
V
DD
=V
DD
Max
CE#=V
IL
, OE#=WE#=V
IH
, all I/Os open
CE#=WE#=V
IL
, OE#=V
IH
CE#=V
IHC
, V
DD
=V
DD
Max
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=100 μA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-100 μA, V
DD
=V
DD
Min
Min
Units
Read
Program and Erase
Standby V
DD
Current
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Input High Voltage (CMOS)
Output Low Voltage
Output High Voltage
25
30
15
1
10
0.8
mA
mA
μA
μA
μA
V
V
V
V
V
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
IHC
V
OL
V
OH
0.7V
DD
V
DD
-0.3
0.2
V
DD
-0.2
T6.8 1160
TABLE
7: R
ECOMMENDED
S
YSTEM
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
Symbol
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
Parameter
Power-up to Read Operation
Power-up to Program/Erase Operation
Minimum
100
100
Units
μs
μs
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
T7.1 1160
TABLE
8: C
APACITANCE (Ta = 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
C
I/O1
C
IN1
Description
I/O Pin Capacitance
Input Capacitance
Test Condition
V
I/O
= 0V
V
IN
= 0V
Maximum
12 pF
6 pF
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
T8.1 1160
TABLE
9: R
ELIABILITY
C
HARACTERISTICS
Symbol
N
END1
T
DR1
I
LTH1
Parameter
Endurance
Data Retention
Latch Up
Minimum Specification
10,000
100
100 + I
DD
Units
Cycles
Years
mA
Test Method
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
T9.2 1160
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SST29VF040-55-4I-NHE 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
SST29VF040-55-4I-WHE 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
SST30VR022-500-C-WH 2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo
SST304 Input/Output (I/O); Supply Voltage: 2.4V to 5.5V; Temperature Range: -40° to +85°C; Package: 16-QFN (16-COL); Features: 10 Configurable I/Os
SST305 Input/Output (I/O); Supply Voltage: 2.4V to 5.5V; Temperature Range: -40° to +85°C; Package: 16-SOIC; Features: 10 Configurable I/Os
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參數(shù)描述
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