參數(shù)資料
型號(hào)： SST29EE010A-120-4C-EH
元件分類： DRAM
英文描述： 128Kx8 EEPROM
中文描述： 128Kx8 EEPROM
文件頁(yè)數(shù)： 17/26頁(yè)
文件大?。?/td> 326K
代理商： SST29EE010A-120-4C-EH
Data Sheet
512 Kbit Page-Mode EEPROM
SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512
17
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71060-06-000
6/01
301
FIGURE 13: AC I
NPUT
/O
UTPUT
R
EFERENCE
W
AVEFORMS
FIGURE 14: A T
EST
L
OAD
E
XAMPLE
301 ILL F12.1
REFERENCE POINTS
OUTPUT
INPUT
VHT
VLT
VHT
VLT
VIHT
VILT
AC test inputs are driven at V
IHT
(2.4V) for a logic
“
1
”
and V
ILT
(0.4 V) for a logic
“
0
”
. Measurement reference points for
inputs and outputs are V
HT
(2.0 V) and V
LT
(0.8 V). Input rise and fall times (10%
90%) are <10 ns.
Note:
V
HT
- V
HIGH
Test
V
LT
- V
LOW
Test
V
IHT
- V
INPUT
HIGH Test
V
ILT
- V
INPUT
LOW Test
301 ILL F13.1
TEST LOAD EXAMPLE
TO TESTER
TO DUT
CL
RL LOW
RL HIGH
VDD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SST29EE010A-120-4C-NH 128Kx8 EEPROM
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SST29EE010A-120-4C-WH 128Kx8 EEPROM
SST29EE010A-120-4I-EH 128Kx8 EEPROM
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參數(shù)描述
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