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參數(shù)資料
| 型號： | SST29EE010A-120-4C-EH |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128Kx8 EEPROM |
| 中文描述： | 128Kx8 EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 11/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 326K |
| 代理商： | SST29EE010A-120-4C-EH |
Data Sheet
512 Kbit Page-Mode EEPROM
SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512
11
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71060-06-000
6/01
301
TABLE 13: P
AGE
-W
RITE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
WC
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
DS
T
DH1
T
BLC1
T
BLCO1
T
IDA1
T
SCE
Parameter
Write Cycle (Erase and Program)
Address Setup Time
Address Hold Time
WE# and CE# Setup Time
WE# and CE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
CE# Pulse Width
WE# Pulse Width
Data Setup Time
Data Hold Time
Byte Load Cycle Time
Byte Load Cycle Time
Software ID Access and Exit Time
Software Chip-Erase
SST29EE512
Min
SST29LE/VE512
Min
Units
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
μs
ms
Max
10
Max
10
0
0
50
0
0
0
0
70
70
35
0
0.05
200
70
0
0
0
0
120
120
50
0
0.05
200
100
100
10
20
10
20
T13.6 301
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST29EE010A-120-4C-NH | 128Kx8 EEPROM |
| SST29EE010A-120-4C-PH | 128Kx8 EEPROM |
| SST29EE010A-120-4C-U2 | EEPROM |
| SST29EE010A-120-4C-WH | 128Kx8 EEPROM |
| SST29EE010A-120-4I-EH | 128Kx8 EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST29EE010A-120-4C-N | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29EE010A-120-4C-NH | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29EE010A-120-4C-P | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29EE010A-120-4C-PH | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29EE010A-120-4C-U | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
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