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參數(shù)資料
| 型號： | SST28VF040A-200 |
| 廠商： | Silicon Storage Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
| 中文描述： | 4兆位（為512k × 8）超快閃EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 5/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 323K |
| 代理商： | SST28VF040A-200 |
Data Sheet
4 Mbit SuperFlash EEPROM
SST28SF040A / SST28VF040A
5
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71077-04-000
6/01
310
FIGURE 2: P
IN
A
SSIGNMENTS
FOR
32-
LEAD
TSOP
FIGURE 3: P
IN
A
SSIGNMENTS
FOR
32-
PIN
PDIP
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
VDD
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
OE#
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
310 ILL F01.2
Standard Pinout
Top View
Die Up
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32-pin
PDIP
Top View
310 ILL F19.0
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VDD
WE#
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE#
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
TABLE
2: P
IN
D
ESCRIPTION
Symbol
A
18
-A
8
A
7
-A
0
DQ
7
-DQ
0
Pin Name
Row Address Inputs
Column Address Inputs
Data Input/output
Functions
To provide memory addresses. Row addresses define a sector.
Selects the byte within the sector
To output data during Read cycles and receive input data during Write cycles.
Data is internally latched during a Write cycle.
The outputs are in tri-state when OE# or CE# is high.
To activate the device when CE# is low.
1
To gate the data output buffers.
To control the Write operations.
1
To provide:
5.0V supply (±10%) for SST28SF040A
2.7V supply (2.7-3.6V) for SST28VF040A
CE#
OE#
WE#
V
DD
Chip Enable
Output Enable
Write Enable
Power Supply
V
SS
Ground
T2.2 310
1. This pin is internally pull-up with a resistor.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST28VF040A-200-4C-EH | 4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
| SST28VF040A-200-4C-NH | 4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
| SST28VF040A-200-4C-PH | 4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
| SST28VF040A-200-4C-WH | 4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
| SST28VF040A-200-4I-EH | 4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST28VF040A-200-4C-EH | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 512K X 8 200ns RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| SST28VF040A-200-4C-EHE | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 512K X 8 200ns RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| SST28VF040A-200-4C-NH | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 512K X 8 200ns RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| SST28VF040A-200-4C-NHE | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 512K X 8 200ns RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| SST28VF040A-200-4C-PH | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
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