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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SST200A |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFETs |
| 中文描述： | N溝道JFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | SST200A |
SST200/200A
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
6-4
Document Number: 70976
S-20517
—
Rev. D, 15-Apr-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
0.1
1
0.01
0.01
0.1
1
200
160
120
80
40
0
2000
1600
1200
800
400
0
I
D
–
Drain Current (mA)
Circuit Voltage Gain vs. Drain Current
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
–
Drain Current (mA)
V
GS(off)
=
–
0.7 V
–
1.5 V
V
GS(off)
=
–
0.7 V
–
1.5 V
A
V
g
fs
R
L
R
L
g
os
1
Assume V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
10 V
I
D
R
L
Common-Source Input Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
10
0
–
12
–
16
–
20
–
8
–
4
8
6
4
2
0
5
0
–
12
–
20
–
16
–
8
–
4
4
3
2
1
0
Common-Source Reverse Feedback Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
V
DS
= 0 V
10 V
f = 1 MHz
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
–
C
V
DS
= 0 V
10 V
f = 1 MHz
10
100
1 k
100 k
10 k
20
16
12
8
4
0
Equivalent Input Noise Voltage vs. Frequency
f
–
Frequency (Hz)
V
DS
= 10 V
I
D
@ 100 A
V
GS
= 0 V
Output Characteristics
300
0
0.5
240
180
120
60
0
V
DS
–
Drain-Source Voltage (V)
0.1
0.2
0.3
0.4
V
GS(off)
=
–
0.7 V
V
GS
= 0 V
–
0.1
–
0.2
–
0.3
–
0.4
–
0.5
e
–
r
D
–
A
V
–
I
D
–
μ
A
C
r
–
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST25VF010 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| SST25VF010-20-4C-QA | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| SST25VF010-20-4C-QA-DD029 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| SST25VF512-20-4C-SAE | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| SST25VF010-20-4C-QAE | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| SST200A-T1-E3 | 功能描述:JFET Low Volt RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST200-T1 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST200-T1-E3 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST201 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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