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參數(shù)資料
| 型號： | SST200A |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFETs |
| 中文描述： | N溝道JFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | SST200A |
SST200/200A
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70976
S-20517
—
Rev. D, 15-Apr-02
www.vishay.com
6-3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Gate Leakage Current
Drain Current and Transconductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
0.1 pA
1 pA
10 pA
100 pA
1 nA
10 nA
0
15
30
V
DG
–
Drain-Gate Voltage (V)
I
GSS
@ 125 C
I
GSS
@ 25 C
T
A
= 125 C
T
A
= 25 C
I
D
= 100 A
I
D
= 500 A
I
G
@ I
D
= 500 A
I
D
= 100 A
V
GS(off)
–
Gate-Source Cutoff Voltage (V)
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
g
fs
I
DSS
400
0
12
16
4
20
360
160
80
0
Output Characteristics
V
DS
–
Drain-Source Voltage (V)
–
0.2 V
–
0.4 V
–
0.1 V
–
0.3 V
240
8
V
GS(off)
=
–
0.7 V
–
0.5 V
V
GS
= 0 V
2.0
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
500
0
–
0.3
–
0.2
–
0.1
–
0.4
–
0.5
400
300
200
100
0
Transfer Characteristics
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
T
A
=
–
55 C
125 C
25 C
V
DS
= 10 V
V
GS(off)
=
–
0.7 V
1.5
0
–
0.3
–
0.4
–
0.2
–
0.1
–
0.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
T
A
=
–
55 C
125 C
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
25 C
V
= 10 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
=
–
0.7 V
I
D
–
g
f
–
μ
S
g
f
–
I
G
–
I
D
–
I
D
–
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| SST25VF512-20-4C-SAE | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| SST200-T1 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST200-T1-E3 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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