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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SST200A |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFETs |
| 中文描述： | N溝道JFET的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | SST200A |
SST200/200A
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
6-2
Document Number: 70976
S-20517
—
Rev. D, 15-Apr-02
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Gate-Drain, Gate-Source Voltage
Gate Current
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lead Temperature (
1
/
16
”
from case for 10 sec.)
Storage Temperature
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
V
10 mA
300 C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–
55 to 150 C
–
55 to 150 C
Power Dissipation
To-236 (SOT-23)
a
SC-70
b
Notes
a
.
Derate 2.8 mW/ C above 25 C
b
.
Derate 1.2 mW/ C above 25 C
350 mW
150 mW
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
SPECIFICATIONS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Limits
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
a
Max
Unit
Static
Gate-Source
Breakdown Voltage
V
(BR)GSS
I
G
=
–
1 A , V
DS
= 0 V
–
25
V
Gate-Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 15 V, I
D
= 10 A
–
0.3
–
0.9
Saturation Drain Current
b
I
DSS
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
0.15
0.7
mA
V
GS
=
–
20 V, V
DS
= 0 V
–
2
–
100
pA
Gate Reverse Current
I
GSS
T
A
= 125 C
–
1
nA
Gate Operating Current
I
G
V
DG
= 10 V, I
D
= 0.1 mA
–
2
Drain Cutoff Current
I
D(off)
V
DS
= 15 V, V
GS
=
–
5 V
2
pA
Gate-Source Forward Voltage
V
GS(F)
I
G
= 1 mA , V
DS
= 0 V
0.7
V
Dynamic
Common-Source
Forward Transconductance
g
fs
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
0.25
0.7
mS
Common-Source
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 15 V, V
= 0 V
f = 1 MHz
4.5
Common-Source
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
1.3
pF
Equivalent Input Noise Voltage
e
n
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
6
nV
√
Hz
Notes
a.
b.
Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing.
Pulse test: PW
300 s duty cycle
3%.
NPA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST25VF010 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| SST25VF010-20-4C-QA | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| SST25VF010-20-4C-QA-DD029 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| SST25VF512-20-4C-SAE | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| SST25VF010-20-4C-QAE | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| SST200A-T1-E3 | 功能描述:JFET Low Volt RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST200-T1 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST200-T1-E3 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST201 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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