參數(shù)資料
型號： SSP1N50A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 1.5AI（四）| TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù)： 6/7頁
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代理商： SSP1N50A
N-C HANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by “R
G
”
I
S
controlled by Duty Factor “D”
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
SSP1N50A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSP1N60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-220AB
SSP21120-080B Industrial Control IC
SSP2N60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
SSP2N80A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
SSP2N90 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SSP1N50B 功能描述:MOSFET NCh/500V/1.5a/5.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSP1N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
SSP1N60A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
SSP1N60B 功能描述:MOSFET N-Ch/600V/1a/12Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSP1N60B_Q 功能描述:MOSFET N-Ch/600V/1a/12Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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