參數(shù)資料
型號(hào)： SSM3J108TU
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High Speed Switching Applications
中文描述： 場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅P溝道MOS型高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 149K
代理商： SSM3J108TU
SSM3J108TU
2007-11-01
4
|Yfs| - ID
0.1
1.0
10.0
-0.01
-0.1
Drain current ID (A)
-1
-10
F
|
Common Source
VDS=-3V
Ta=25°C
PD - Ta
0
200
400
600
800
1000
0
20
40
60
80
100 120 140 160
Ambient temperature Ta(°C)
D
a
a: mounted on FR4 board
(25.4mm×25.4mm×1.6mm)
Cu Pad :25.4mm×25.4mm
b:mounted on ceramic board
(25.4mm×25.4mm×0.8mm)
Cu Pad :25.4mm×25.4mm
b
C - VDS
10
100
1000
0.1
1
10
100
Drain-Source voltage VDS (V)
C
Ciss
Coss
Crss
Common Source
VGS=0V
f=1MHz
Ta=25°C
Ta=85°C
25°C
-25°C
t - ID
1
-0.01
10
100
1000
-0.1
Drain current ID (A)
-1
-10
S
toff
tr
ton
tf
Common Source
VDD=10V
VGS=0 to 2.5V
Ta=25°C
IDR - VDS
-0.001
-0.01
-0.1
-1
-10
0
0.2
Drain-Source voltage VDS (V)
0.4
0.6
0.8
1
D
Common Source
VGS=0V
Ta=25°C
Ta=85°C
25°C
-25°C
Rth - tw
1
0.001
10
100
1000
0.01
0.1
Pulse width tw(S)
1
10
100
1000
T
Single pulse
a:Mounted on ceramic board
(25.4mm×25.4mm×0.8mm)
Cu Pad :25.4mm×25.4mm
b:Mounted on FR4 board
(25.4mm×25.4mm×1.6mm)
Cu Pad :25.4mm×25.4mm
c:Mounted on FR4 Board
(25.4mm×25.4mm×1.6mm)
Cu Pad :0.45mm×0.8mm×3
a
b
c
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSM3J109TU Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications
SSM3J110TU Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High Speed Switching Applications
SSM3J111TU Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High Speed Switching Applications
SSM3J112TU Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High Speed Switching Applications
SSM3J113TU Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High Speed Switching Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SSM3J108TU(TE85L) 功能描述:MOSFET Vds=-20V Id=-1.8A 3Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSM3J109TU 功能描述:MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 3Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSM3J109TU(TE85L) 功能描述:MOSFET Vds=-20V Id=-2A 3Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSM3J110TU 功能描述:MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 3Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSM3J110TU(TE85L) 功能描述:MOSFET Vds=-12V Id=-2.3A 3Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*