參數(shù)資料
型號： SSM3J108TU
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High Speed Switching Applications
中文描述： 場效應(yīng)晶體管硅P溝道MOS型高速開關(guān)應(yīng)用
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 149K
代理商： SSM3J108TU
SSM3J108TU
2007-11-01
3
ID - VGS
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
1
2
Gate-Source voltage VGS (V)
D
Ta=85°C
25°C
-25°C
Common Source
VDS=-3V
Vth - Ta
-0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient temperature Ta(°C)
G
Common Source
ID=-1mA
VDS=-3V
ID - VDS
-0
-1
-2
-3
-4
-5
-0.0
-0.2
Drain-Source voltage VDS (V)
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
D
VGS=-1.2V
-1.5
-1.8
-2.5
-4.0
-10
Common Source
Ta=25°C
RDS(ON) - ID
0
50
100
150
200
250
300
350
400
-0
-1
-2
-3
-4
-5
Drain current ID (A)
D
)
VGS=-4V
-2.5V
-1.8V
Common Source
Ta=25°C
RDS(ON) - VGS
0
50
100
150
200
250
300
-0
-1
-2
Gate-Source voltage VGS (V)
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9 -10
D
R
)
ID=-0.1A
-0.8A
-0.4A
Common Source
Ta=25°C
RDS(ON) - Ta
0
50
100
150
200
250
300
350
400
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient temperature Ta(
℃
)
D
)
VGS=-4V,ID=-0.8A
-2.5V,-0.4A
-1.8V,-0.1A
Common Source
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PDF描述
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SSM3J109TU(TE85L) 功能描述:MOSFET Vds=-20V Id=-2A 3Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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