參數(shù)資料
型號(hào): SSI3N90A
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-262AA
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 900V五(巴西)直| 3A條(?。﹟對(duì)262AA
文件頁(yè)數(shù): 6/7頁(yè)
文件大小: 663K
代理商: SSI3N90A
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by
R
G
I
S
controlled by Duty Factor
D
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
SSW/I3N80A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSW3N IC MCU 8K LS USB/PS-2 18-SOIC
SSW60N06 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-252VAR
SSI60N05 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-251VAR
SSI60N06 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-251VAR
SSW60N05 "MCU PSOC EMU POD FOR 20,28 SOIC"
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參數(shù)描述
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SSI4N60B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
SSI4N60BTU 功能描述:MOSFET NCh/600V/4a/2.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSI4N80A 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-262AA
SSI4N80AS 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-262AA