參數(shù)資料
型號: SSI3N90A
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-262AA
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 900V五(巴西)直| 3A條(丁)|對262AA
文件頁數(shù): 5/7頁
文件大?。?/td> 663K
代理商: SSI3N90A
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
Fig 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Fig 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
E
AS
=
L
L
I
AS2
-1
2
--------------------
BV
DSS
-- V
DD
BV
V
in
V
out
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
Vary t
to obtain
required peak I
D
10V
V
DD
C
L
L
V
DS
I
D
R
G
t
p
DUT
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
V
DD
( 0.5 rated V
DS
)
10V
V
out
V
in
R
L
R
G
3mA
V
GS
Current Sampling (I
G
)
Resistor
Current Sampling (I
D
)
Resistor
DUT
V
DS
300nF
50K
200nF
12V
Same Type
as DUT
* Current Regulator *
R
1
R
2
SSW/I3N80A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSW3N IC MCU 8K LS USB/PS-2 18-SOIC
SSW60N06 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-252VAR
SSI60N05 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-251VAR
SSI60N06 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-251VAR
SSW60N05 "MCU PSOC EMU POD FOR 20,28 SOIC"
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SSI4N60A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-262AA
SSI4N60B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
SSI4N60BTU 功能描述:MOSFET NCh/600V/4a/2.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSI4N80A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-262AA
SSI4N80AS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-262AA