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參數(shù)資料
| 型號： | SSI3N90A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-262AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 900V五（巴西）直| 3A條（?。﹟對262AA |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 663K |
| 代理商： | SSI3N90A |
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
SSW/I3N80A
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 1 5 V
1 0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 50 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
3
6
9
12
0
5
10
15
20
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
10
0
10
1
0
200
400
600
800
1000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
V
DS
= 640 V
V
DS
= 400 V
V
DS
= 160 V
@ Notes : I
D
= 3.0 A
V
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSW3N | IC MCU 8K LS USB/PS-2 18-SOIC |
| SSW60N06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-252VAR |
| SSI60N05 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-251VAR |
| SSI60N06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-251VAR |
| SSW60N05 | "MCU PSOC EMU POD FOR 20,28 SOIC" |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SSI4N60A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-262AA |
| SSI4N60B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| SSI4N60BTU | 功能描述:MOSFET NCh/600V/4a/2.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSI4N80A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-262AA |
| SSI4N80AS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-262AA |
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