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參數(shù)資料
| 型號： | SRM20V512SLTT7 |
| 英文描述： | x8 SRAM |
| 中文描述： | x8的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | SRM20V512SLTT7 |
SRM20V512SLMT
7
3
6
1 Test Conditions
1. Input pulse level : 0.4V to 2.4V
2. t
r
= t
f
= 5ns
3. Input and output timing reference levels : 1.5V
4. Output load C
L
= 100pF
G
AC Electrical Characteristics
H
Read Cycle
H
Write Cycle
Unit
Parameter
Symbol
Conditions
(V
SS
= 0V, V
DD
= 2.7V to 3.6V, Ta = –40 to 85
°
C)
SRM20V512SLMT
7
Min.
Read cycle time
Address access time
Chip select 1 access time
Chip select 2 access time
Output enable access time
Chip select 1 output set time
Chip select 1 output floating
Chip select 2 output set time
Chip select 2 output floating
Output enable output set time
Output enable output floating
Output hold time
Write cycle time
Chip select time 1
Chip select time 2
Address enable time
Address setup time
Write pulse width
Address hold time
Input data setup time
Input data hold time
WE Output floating
WE Output setup time
t
WC
t
CW1
t
CW2
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WHZ
t
OW
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
70
60
60
60
0
55
0
30
0
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
ACC
t
ACS1
t
ACS2
t
OE
t
CLZ1
t
CHZ1
t
CLZ2
t
CHZ2
t
OLZ
t
OHZ
t
OH
1
1
1
1
1
2
2
2
2
2
2
1
70
—
—
—
—
5
—
5
—
0
—
10
—
70
70
70
40
—
30
—
30
—
30
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Unit
Parameter
Symbol
Conditions
(V
SS
= 0V, V
DD
= 2.7V to 3.6V, Ta = –40 to 85
°
C)
SRM20V512SLMT
7
Min.
Max.
Max.
6
2 Test Conditions
1. Input pulse level : 0.4V to 2.4V
2. t
r
= t
f
= 5ns
3. Input timing reference levels : 1.5V
4. Output timing reference levels:
±
200mV (the level displaced from stable output voltage level)
5. Output load C
L
= 5pF
+3V
1.0K
920
100pF
I/O
+3V
1.0K
920
5pF
I/O
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SRM2114C25 | x4 SRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| SRM2114M25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
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