參數(shù)資料
型號(hào)： SN74V3650-6PEU
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
中文描述： 的3.3V的CMOS先入先出存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù)： 13/50頁(yè)
文件大?。?/td> 729K
代理商： SN74V3650-6PEU
SN74V3640, SN74V3650, SN74V3660, SN74V3670, SN74V3680, SN74V3690
1024
×
36, 2048
×
36, 4096
×
36, 8192
×
36, 16384
×
36, 32768
×
36
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS668A
–
NOVEMBER 2001
–
REVISED MARCH 2003
13
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
half-full flag (HF)
HF indicates a half-full FIFO. The rising WCLK edge that fills the FIFO beyond half-full sets HF low. The flag
remains low until the difference between the write and read pointers becomes less than, or equal to, one-half
of the total depth of the device. The rising RCLK edge that accomplishes this condition sets HF high.
In standard mode, if no reads are performed after reset (MRS or PRS), HF goes low after (D/2 + 1) writes to
the FIFO, where D = 1024 for the SN74V3640, D = 2048 for the SN74V3650, D = 4096 for the SN74V3660,
D = 8192 for the SN74V3670, D = 16384 for the SN74V3680, and D = 32768 for the SN74V3690.
In FWFT mode, if no reads are performed after reset (MRS or PRS), HF goes low after [(D
–
1)/2] + 2 writes
to the FIFO, where D = 1025 for the SN74V3640, D = 2049 for the SN74V3650, D = 4097 for the SN74V3660,
D = 8193 for the SN74V3670, D = 16385 for the SN74V3680, and D = 32769 for the SN74V3690.
See Figure 22 for timing information. Because HF is updated by both RCLK WCLK, it is considered
asynchronous.
data outputs (Q0-Qn)
Q0
–
Q35 are data outputs for 36-bit-wide data. Q0
–
Q17 are data outputs for 18-bit-wide data. Q0
–
Q8 are data
outputs for 9-bit-wide data.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SN74V3660-10PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3660-15PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3670-10PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3670-15PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3690-15PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SN74V3650-7PEU 功能描述:先進(jìn)先出 2048 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3660-10PEU 功能描述:先進(jìn)先出 4096 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3660-15PEU 功能描述:先進(jìn)先出 4096 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3660-6PEU 功能描述:先進(jìn)先出 4096 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3660-7PEU 功能描述:先進(jìn)先出 4096 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
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