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參數(shù)資料
| 型號： | SMK2-67025EV-45SB |
| 廠商： | TEMIC SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | Static RAM |
| 英文描述： | 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 45 ns, QFP84 |
| 封裝： | MQFP-84 |
| 文件頁數(shù)： | 3/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 355K |
| 代理商： | SMK2-67025EV-45SB |
M67025E
Rev. G – July 6, 2000
11
PARAMETER
DESCRIPTION
M67025E
UNIT
VALUE
IL I/O
(5)
Input/Output leakage current
± 10
A
Max
VIL
(6)
Input low voltage
0.8
V
Max
VIH
(6)
Input high voltage
2.2
V
Min
VOL
(7)
Output low voltage (I/O0–I/O15)
0.4
V
Max
VOH
(7)
Output high voltage
2.4
V
Min
C IN
Input capacitance
5
pF
Max
C OUT
Output capacitance
7
pF
Max
Notes :
5. Vcc = 5.5 V, Vin = Gnd to Vcc, CS = VIH, Vout = 0 to Vcc.
6. VIH max = Vcc + 0.3 V, VIL min = –0.3 V or –1 V pulse width 50 ns.
7. Vcc min, IOL = 4 mA, IOH = –4 mA.
Data-Retention Mode
MHS CMOS RAMs are designed with battery backup in
mind. Data retention voltage and supply current are
guaranteed over temperature. The following rules insure
data retention :
1 – Chip select (CS) must be held high during data
retention ; within VCC to VCC – 0.2 V.
2 – CS must be kept between VCC – 0.2 V and 70 % of VCC
during the power up and power down transitions.
3 – The RAM can begin operation > tRC after VCC
reaches the minimum operating voltage (4.5 volts).
Timing
VALUE
PARAMETER (max)
TEST CONDITIONS (9)
V
UNIT
ICCDR
@ VCCDR = 2 V
200
A
Notes :
8. CS = VCC, Vin = Gnd to VCC.
9. tRC = Read cycle time.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMC9-65608EV-45SB | 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, DIP32 |
| SMDJ-65608EV-30SB | 128K X 8 STANDARD SRAM, 30 ns, DFP32 |
| SMDJ-65608EV-45SB | 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, DFP32 |
| SMK2-67025EV-30SB | 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 30 ns, QFP84 |
| SMFR-29C516E-31SB | CMOS SERIES, 16-BIT ERROR DETECT AND CORRECT CKT, TRUE OUTPUT, PQFP100 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMK316B7102KFHT | 功能描述:CAP CER 1000PF 630V X7R 1206 制造商:taiyo yuden 系列:M 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 電容:1000pF 容差:±10% 電壓 - 額定:630V 溫度系數(shù):X7R 工作溫度:-55°C ~ 125°C 特性:高電壓 等級:AEC-Q200 應用:汽車級 安裝類型:表面貼裝，MLCC 封裝/外殼:1206（3216 公制） 大小/尺寸:0.126" 長 x 0.063" 寬（3.20mm x 1.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 厚度（最大值）:0.049"（1.25mm） 引線間距:- 引線形式:- 標準包裝:1 |
| SMK316B7102KF-T | 功能描述:多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT CAP MIDHI VOL 1206 630V X7R .001uF 10% RoHS:否 制造商:American Technical Ceramics (ATC) 電容:10 pF 容差:1 % 電壓額定值:250 V 溫度系數(shù)/代碼:C0G (NP0) 外殼代碼 - in:0505 外殼代碼 - mm:1414 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 產(chǎn)品:Low ESR MLCCs 封裝:Reel |
| SMK316B7102MF-T | 功能描述:多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT CAP MIDHI VOL 1206 630V X7R .001uF 20% RoHS:否 制造商:American Technical Ceramics (ATC) 電容:10 pF 容差:1 % 電壓額定值:250 V 溫度系數(shù)/代碼:C0G (NP0) 外殼代碼 - in:0505 外殼代碼 - mm:1414 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 產(chǎn)品:Low ESR MLCCs 封裝:Reel |
| SMK316B7103KF-T | 功能描述:多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT CAP MIDHI VOL 1206 630V X7R 10nF 10% RoHS:否 制造商:American Technical Ceramics (ATC) 電容:10 pF 容差:1 % 電壓額定值:250 V 溫度系數(shù)/代碼:C0G (NP0) 外殼代碼 - in:0505 外殼代碼 - mm:1414 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 產(chǎn)品:Low ESR MLCCs 封裝:Reel |
| SMK316B7103MF-T | 功能描述:多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT CAP MIDHI VOL 1206 630V X7R .01uF 20% RoHS:否 制造商:American Technical Ceramics (ATC) 電容:10 pF 容差:1 % 電壓額定值:250 V 溫度系數(shù)/代碼:C0G (NP0) 外殼代碼 - in:0505 外殼代碼 - mm:1414 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 產(chǎn)品:Low ESR MLCCs 封裝:Reel |
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