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PMDPB85UPE

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  • PMDPB85UPE
    PMDPB85UPE

    PMDPB85UPE

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 60000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1118

  • -

  • 授權代理/原廠FAE技術支持

  • PMDPB85UPE
    PMDPB85UPE

    PMDPB85UPE

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • PMDPB85UPE,115
    PMDPB85UPE,115

    PMDPB85UPE,115

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人：丁皓鵬

    電話：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • PHA

  • SOT1118

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，價格優(yōu)勢！

  • PMDPB85UPE,115
    PMDPB85UPE,115

    PMDPB85UPE,115

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 12000

  • NXP

  • 6HUSON

  • 13+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET DUAL P-CH 20V DFN2020
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, DUAL P-CH, 20V, DFN2020
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, DUAL P-CH, 20V, DFN2020, Transistor Polarity
PMDPB85UPE 技術參數(shù)
  • PMDPB80XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:102 毫歐 @ 2.7A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V 功率 - 最大值:485mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN2020-6 標準包裝:1 PMDPB70XPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:79 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN2020-6 標準包裝:1 PMDPB70XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:87 毫歐 @ 2.9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:680pF @ 15V 功率 - 最大值:490mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN2020-6 標準包裝:1 PMDPB70EN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:130pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-DFN2020（2x2） 標準包裝:1 PMDPB65UP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 10V 功率 - 最大值:520mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-HUSON（2x2） 標準包裝:1 PMDR-3 PMDR-30-39 PMDR-4 PMDR-40-49 PMDR-5 PMDR-50-59 PMDR-6 PMDR-60-69 PMDR-7 PMDR-70-79 PMDR-8 PMDR-80-89 PMDR-9 PMDR-90-99 PMDR-A PMDR-B PMDR-BL PMDR-BLK
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