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PMDPB95XNE,115

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  • PMDPB95XNE,115
    PMDPB95XNE,115

    PMDPB95XNE,115

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

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  • 1
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 6-Pin HUSON EP T/R
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PMDPB95XNE/HUSON6/REEL7// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V DUAL HUSON6
PMDPB95XNE,115 技術(shù)參數(shù)
  • PMDPB85UPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:103 毫歐 @ 1.3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:514pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB80XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:102 毫歐 @ 2.7A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V 功率 - 最大值:485mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB70XPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:79 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB70XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:87 毫歐 @ 2.9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:680pF @ 15V 功率 - 最大值:490mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB70EN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:130pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020（2x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDR-4 PMDR-40-49 PMDR-5 PMDR-50-59 PMDR-6 PMDR-60-69 PMDR-7 PMDR-70-79 PMDR-8 PMDR-80-89 PMDR-9 PMDR-90-99 PMDR-A PMDR-B PMDR-BL PMDR-BLK PMDR-BRN PMDR-C
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