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PMDPB70XPE,115

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • PMDPB70XPE,115
    PMDPB70XPE,115

    PMDPB70XPE,115

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人：丁皓鵬

    電話：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • PHA

  • SOT1118

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，價格優(yōu)勢！

  • PMDPB70XPE,115
    PMDPB70XPE,115

    PMDPB70XPE,115

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室

  • 69800

  • NXP

  • 近兩年生產(chǎn)

  • DFN-6

  • -

  • 每一片都來自原廠

  • PMDPB70XPE,115
    PMDPB70XPE,115

    PMDPB70XPE,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • PMDPB70XPE,115
    PMDPB70XPE,115

    PMDPB70XPE,115

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 12000

  • NXP

  • 6HUSON

  • 13+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存

  • PMDPB70XPE,115
    PMDPB70XPE,115

    PMDPB70XPE,115

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 9000

  • Nexperia

  • N/A

  • 24+

  • -

  • 瑞智芯只做原裝上傳有貨

  • PMDPB70XPE,115
    PMDPB70XPE,115

    PMDPB70XPE,115

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Nexperia USA Inc.

  • MOSFET 2P-CH 20V 3A

  • 22+

  • -

  • PMDPB70XPE,115
    PMDPB70XPE,115

    PMDPB70XPE,115

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
PMDPB70XPE,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin HUSON EP T/R
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PMDPB70XPE/HUSON6/REEL7// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH DUAL 20V 6HUSON
PMDPB70XPE,115 技術(shù)參數(shù)
  • PMDPB70XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:87 毫歐 @ 2.9A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:680pF @ 15V 功率 - 最大值:490mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB70EN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:130pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020（2x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB65UP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 10V 功率 - 最大值:520mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-HUSON（2x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB58UPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:804pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDPB56XNEAX 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 3.1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:256pF @ 15V 功率 - 最大值:485mW（Ta） 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020D-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMDR-20-29 PMDR-3 PMDR-30-39 PMDR-4 PMDR-40-49 PMDR-5 PMDR-50-59 PMDR-6 PMDR-60-69 PMDR-7 PMDR-70-79 PMDR-8 PMDR-80-89 PMDR-9 PMDR-90-99 PMDR-A PMDR-B PMDR-BL
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